НАНОСИСТЕМЫ

Электрофизические и температурные характеристики тонких слоёв квантовых точек Ag2S

Мазинов А.С., Тютюник А.С., Гурченко В.С.
Крымский федеральный университет им. В.И. Вернадского, https://cfuv.ru/
Симферополь 295007, Российская Федерация
E-mail: mazinovas@cfuv.ru, tyutyunikas@mail.ru, gurchenko_v@mail.ru

Поступила 02.05.2024, рецензирована 06.05.2024, принята 09.05.2024, опубликована 19.05.2024.

Аннотация: В работе представлено исследование электрофизических свойств тонких плёнок коллоидных квантовых точек сульфида серебра (КТ Ag2S/SiO2) и квантовых точек сульфида серебра, декорированных плазмонными наночастицами золота (КТ Ag2S/SiO2/Au). Проведено исследование температурных зависимостей проводимости в диапазоне температур от 300 до 360 К. Были получены значения энергии активации из линейных аппроксимаций вольт-амперных характеристик в координатах Аррениуса. Показано, что декорирование КТ Ag2S/SiO2 плазмонными наночастицами золота приводит к увеличению ширины запрещенной зоны с 0.29 до 0.89 эВ. В работе рассчитан фактор идеальности и определены основные механизмы проводимости представленных тонкоплёночных структур. Показано, что декорирование КТ Ag2S/SiO2 наночастицами Au приводит к изменению типа проводимости. Согласно модели Мотта-Герни рассчитана подвижности носителей заряда.

Ключевые слова: квантовые точки, сульфид серебра, энергия активации, подвижность носителей заряда

УДК 537.312.6, 538.935, 53.096

РЭНСИТ, 2024, 16(3):387-394 DOI: 10.17725/rensit.2024.16.387

Полнотекстовая электронная версия статьи – на вебсайтах http://elibrary.ru и http://rensit.ru/vypuski/article/565/16(3)387-394.pdf