РАДИОЭЛЕКТРОНИКА

Токораспределение в гребенчатых структурах биполярных и гетеробиполярных СВЧ транзисторов с учетом сопротивления дорожек металлизации

1Сергеев В.А., 1Ходаков А.М., 1Фролов И.В., 1,2Казанков А.А.
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Ульяновский филиал, http://www.ulireran.ru/
Ульяновск 432071, Российская Федерация
2Ульяновский государственный технический университет, https://www.ulstu.ru/
Ульяновск 432027, Российская Федерация
E-mail: sva@ulstu.ru, ln23al@yandex.ru, ilya-frolov88@mail.ru, kazankov1992@gmail.com

Поступила 05.05.2024, рецензирована 07.05.2024, принята 10.05.2024

Аннотация: Представлен краткий анализ причин неоднородного и неустойчивого распределения тока между элементарными транзисторами в гребенчатых структурах (ГС) биполярных (БТ) и гетеробиполярных (ГБТ) СВЧ транзисторов. Получено выражение для тока, втекающего в элементарный транзистор ГС, с учетом сопротивления эмиттерной дорожки металлизации. Приведена оценка влияния технологического разброса сопротивлений эмиттерных дорожек металлизации на неравномерность распределения полного тока транзистора между элементарными транзисторами. Показано, что сопротивление эмиттерных дорожек металлизации играет стабилизирующую роль и приводит к повышению тепловой устойчивости токораспределения в ГС, при этом наименее устойчивым к тепловому пробою будет элементарный транзистор ГС с наименьшим сопротивлением эмиттерной дорожки и наибольшим тепловым сопротивлением. Предложены рекомендации по выравниванию и повышению устойчивости токораспределения в ГС БТ и ГБТ.

Ключевые слова: биполярный и гетеробиполярный СВЧ транзистор, гребенчатая структура, сопротивление дорожек металлизации, неоднородность распределения тока, тепловая неустойчивость токораспределения

УДК 621.382.029

РЭНСИТ, 2024, 16(3):317-324 DOI: 10.17725/rensit.2024.16.317

Полнотекстовая электронная версия статьи – на вебсайтах http://elibrary.ru и http://rensit.ru/vypuski/article/565/16(3)317-324.pdf