Том 12, №3, 2020
РусскийEnglish

НАНОСИСТЕМЫ



Сегрегация Mn на дефектах кристаллической решетки GaSb

Саныгин В.П., Пашкова О.Н., Изотов А.Д.

Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, http://igic.ras.ru/
Москва 119991, Российская Федерация
E-mail:sanygin@igic.ras.ru, olg-pashkova@yandex.ru, izotov@igic.ras.ru

Поступила 08.06.2020, рецензирована 22.06.2020, принята 30.06.2020


Аннотация. При легировании антимонида галлия 2 ат.% Mn установлено, что в результате закалки расплава марганец сегрегирует на зернообразующих дислокациях кристаллической текстуры GaSb (111) в виде микровключений на основе ферромагнитного соединения MnSb. Атомы марганца сегрегируют на дислокациях GaSb дискретно с периодическим дистанционированием включений друг от друга. Размеры включений составляют величину порядка 1 мкм, различаются по составу и магнитным свойствам, но в среднем их состав и свойства соответствуют ферромагнитной фазе Mn1,1Sb. При Т = 4 К кристаллическая анизотропия GaSb сопровождается магнитной анизотропией; при Т = 300 К сферические кластеры магнитного полупроводника сохраняют свойства магнитомягкого ферромагнетика с коэрцитивной силой Нс ≈ 10 Э

Ключевые слова: магнитные полупроводники, дефекты кристаллической решетки, дислокации

УДК 548.4;620.186

РЭНСИТ, 2020, 12(3):341-348 DOI: 10.17725/rensit.2020.12.341.


Полнотекстовая электронная версия статьи – на вебсайтах http://elibrary.ru и http://rensit.ru/vypuski/article/348/12(3)341-348.pdf