Том 12, №2, 2020
РусскийEnglish

РАДИОЭЛЕКТРОНИКА



Исследование фототоковой доменной неустойчивости в высокоомных туннельных МДП структурах CdZnTe

Перепелицын Ю.Н.

ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, Саратовский филиал, http://www.cplire.ru/rus/sfire
Саратов 410019, Российская Федерация

Поступила в редакцию 21.11.2019, рецензирована 15.12.2019, принята 20.12.2019


Аннотация. Приводятся результаты экспериментальных исследований, связанных с изучением дрейфовой доменной неустойчивости, образующейся в однородных высокоомных МТДПТДМ структурах CdZnTe при воздействии освещения

Ключевые слова: фототоковая доменная неустойчивость, колебания фототока, пороговое поле, высокоомная туннельная МТДПТДМ структура, фотоэлектрический домен, распределение электрического поля

УДК 621.382.2; 537.222.22

РЭНСИТ, 2020, 12(2):191-200. DOI: 10.17725/rensit.2020.12.191.


Полнотекстовая электронная версия статьи – на вебсайтах http://elibrary.ru и http://rensit.ru/vypuski/article/332/12(2)191-200.pdf