НАНОСИСТЕМЫ
МЕХАНИЗМ ПРОВОДИМОСТИ НАНОГРАФИТА, ОБРАЗОВАННОГО ОСАЖДЕНИЕМ В ПЛАЗМЕ МЕТАНА И ПОСЛЕДУЮЩЕЙ ТЕРМООБРАБОТКОЙ
Неустроев Е.П., Прокопьев А.Р.
Северо-Восточный федеральный университет имени М.К. Аммосова, https://www.s-vfu.ru/
58, ул. Белинского, Якутск 677000, Российская Федерация
E-mail: neustr@mail.ru, aisenprokopiev@mail.ru
Поступила 01.11.2019, рецензирована 11.11.2019, принята 18.11.2019
Аннотация. Исследованы образцы нанографитовых пленок, полученных осаждением на подложку SiO2 углерода в плазме метана CH4 и последующей термообработкой при температуре 650°С. Толщина полученных пленок составляла 1-2 нм. Результаты измерений температурной зависимости сопротивления показывают, что в диапазоне от 80°К до 300°К сопротивление уменьшается примерно на три порядка. Зависимость энергии активации проводимости от температуры носит нелинейный характер. Анализ зависимости сопротивления от Tn при различных n показал, что электропроводность нанографитовых пленок соответствует механизму Эфроса-Шкловского в двумерных структурах. Оценка размеров полученных нанографитовых чешуек показала величину ~1.7 нм.
Ключевые слова: плазменное осаждение, метан, термообработка, нанографит, электропроводность
PACS: 73.25.+i, 73.50.Mx, 73.61.-r.
РЭНСИТ, 2019, 11(3):315-320
DOI: 10.17725/rensit.2019.11.315
Полнотекстовая электронная версия статьи – на вебсайтах http://elibrary.ru и
http://rensit.ru/vypuski/article/297/11(3)315-320.pdf