НАНОСИСТЕМЫ

МОЛЕКУЛЯРНЫЕ НАНОЭЛЕКТРОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Солдатов Е.С.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, физический факультет, http://www.phys.msu.ru,
1/2, Ленинские горы, 119991 Москва, Российская Федерация
+7 495 939 5935, esold@phys.msu.ru

Рассмотрены предпосылки и перспективы построения электронных элементов на основе одиночных молекул. Особое внимание уделено использованию явления коррелированного туннелирования электронов (одноэлектроники). Дан краткий обзор экспериментальных работ в этом направлении, показана важность создания планарных одноэлектронных молекулярных элементов, дан обзор наиболее перспективных способов их создания и полученных к настоящему времени результатов.

Ключевые слова: одноэлектронное туннелирование, нанолитография, молекулярные кластеры, сканирующий туннельный микроскоп, подложка, ленгмюровский монослой, кулоновская блокада, планарные одноэлектронные транзисторы, нанозазор, электромиграция

УДК 621.382;535.312

Библиография – 18 ссылок
Поступила 22.10.2009

РЭНСИТ, 2009, 1(1-2):148-1567

ЛИТЕРАТУРА

International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), 2007 Edition, available online at public.itrs.net.
Кулик ИО, Шехтер РИ. Кинетические явления и эффекты зарядовой дискретности в гранулированных средах. ЖЭТФ, 1975, 41:308-316.
Averin DV, Likharev KK. Single electronics: a correlated transfer of single electrons and cooper pairs in systems of small tunnel junctions. In Mesoscopic phenomena in Solids, BL Altshuler, PA Lee, RA Webb, eds. NY, Elsevier, 1991:173-271.
Эдельман ВС. Сканирующая туннельная микроскопия. ПТЭ, 1989, 5:25-49.
Солдатов ЕС, Ханин ВВ, Трифонов АС, Губин СП, Колесов ВВ, Преснов ДЕ, Яковенко СА, Хомутов ГБ. Одноэлектронный транзистор на основе одиночной кластерной молекулы при комнатной температуре. Письма в ЖЭТФ, 1995, 64(7):510-514.
Gubin SP, Gulayev YuV, Khomutov GB, Kislov VV, Kolesov VV, Soldatov ES, Sulaimankulov KS, Trifonov AS. Molecular clusters as building blocks for nanoelectronics: the first demonstration of cluster SET transistor at room temperature. Nanotechnology, 2002, 13:185-194.
Shorokhov VV, Soldatov ES, Elenski VG. The method for the determination of electrical self-capacitance of atomic and molecular scale objects. Book of Abstracts ICMNE-2007 (Oct. 1-5, Moscow-Zvenigorod, Russia), p. O1-13; (to be published in SPIE Proceedings).
Likharev КК. Single-electron devices and their applications. IEEE, 1999, 87:606-632.
Reed MA, Zhou С, Muller CJ, Burgin TP, Tour JM. Nature, 1997, 278:253.
Крупенин ВА, Лотхов СВ, Преснов ДЕ. Факторы нестабильности одноэлектронной памяти при низких температурах в структурах типа Al/AlOx/Al. ЖЭТФ, 1997, 111(1):344-357.
Солдатов ЕС, Сергеев-Черенков АН, Губин СП, Суятин ДБ, Максимов ИА, Хомутов ГБ, Сметанин МВ, Ханин ВВ, Самуэльсон Л, Монтелиус Л. Investigation of electron transport in molecule-based nano-structures. Proc. 11 Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, St-Petersburg, Russia, June 23-28, 2003:410.
McCarty GS. Molecular lithography for wafer-scale fabrication of molecular junctions. Nano Lett., 2004, 4:1391-1394.
Nagase T, Kubota T, Mashiko S. Fabrication of nano-gap electrodes for measuring electrical properties of organic molecules using a focused ion beam. Thin Solid Films, 2003, 438-439:374-377.
Ho PS, Kwok T. Electromigration in metal. Rep. Prog. Phys., 1989, 52:301.
Park H, Lim AKL, Alivisatos AP. Fabrication of metallic electrodes with nanometer separation with electromigration. Appl. Phys. Letters, 1999, 35(2).
Kervennic YV, Vanmaekelbergh D, Kouwenhoven LP, HSJ van der Zant. Planar nanocontacts with atomically controlled separation. Appl. Phys. Lett., 2003, 83(18):3782-3784.
Bezryadin A, Dekker C, Schmid G. Electrostatic trapping of single conducting nanoparticles between nanoelectrodes. Appl. Phys. Lett., 1997, 71:1273-1275.
Солдатов ЕС, Овченков ЕА. Получение нанозазоров в пленках электрохимически осажденных металлов методом релаксации напряжений. ЖТФ, 2008, 78(12):74-78.

Полнотекстовая электронная версия статьи – на вебсайте http://elibrary.ru