ХОДАКОВ АЛЕКСАНДР МИХАЙЛОВИЧ
к.ф.-м.н.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Ульяновский филиал, http://ulireran.ru/
48/2, ул. Гончарова, Ульяновск 432071, Российская Федерация
ln23al@yandex.ru
Статьи:
Сергеев В.А., Ходаков А.М., Фролов И.В. Модель деградации InGaN/GaN светодиода при токовых испытаниях с учетом неоднородного распределения температуры и плотности тока в гетероструктуре. РЭНСИТ, 2020, 12(3):329-334. DOI: 10.17725/rensit.2020.12.329.

Ходаков А.М., Тарасов Р.Г., Сергеев В.А., Куликов А.А. Термодеформационная модель субмодуля выходного усилителя мощности Х-диапазона. РЭНСИТ, 2021, 13(1):13-18. DOI: 10.17725/rensit.2021.13.013.

Сергеев В.А., Ходаков А.М. Теплоэлектрическая модель гетеропереходного биполярного транзистора с учетом падения напряжения на сопротивлении токоведущей металлизации. РЭНСИТ, 2022, 14(2):103-110. DOI: 10.17725/rensit.2022.14.103.

Сергеев В.А., Ходаков А.М. Динамическая теплоэлектрическая модель гетеропереходного биполярного транзистора с учетом падения напряжения на эмиттерных дорожках металлизации. РЭНСИТ, 2023, 15(2)109-116. DOI: 10.17725/rensit.2023.15.109.

Смирнов В.И., Ходаков А.М., Гавриков А.А. Моделирование теплоэлектрических процессов в силовых модулях на MOSFET-транзисторах. РЭНСИТ, 15(2)117-124. DOI: 10.17725/rensit.2023.15.117.